TSM2NB60CH C5G
Numărul de produs al producătorului:

TSM2NB60CH C5G

Product Overview

Producător:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

TSM2NB60CH C5G-DG

Descriere:

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 44W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Inventar:

12896974
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

TSM2NB60CH C5G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
44W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-251 (IPAK)
Pachet / Carcasă
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
TSM2NB60CHC5G
TSM2NB60CH C5G-DG
Pachet standard
75

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
STD3NK80Z-1
PRODUCĂTOR
STMicroelectronics
CANTITATE DISPONIBILĂ
3000
DiGi NUMĂR DE PARTE
STD3NK80Z-1-DG
PREȚ UNIC
0.73
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
taiwan-semiconductor

TSM900N10CH X0G

MOSFET N-CH 100V 15A TO251

taiwan-semiconductor

TSM2308CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM061NA03CV RGG

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM2N100CP ROG

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252